PARTNER PORTALU partner portalu wnp.pl
Menu

wnp.pl - portal gospodarczy

Szukaj

IGBT contra MOSFET

Autor:
19-11-2001 00:00

Wraz z pojawieniem się specjalnych tranzystorów mocy, których parametry umożliwiły produkcję inwertorów o dużych prądach wyjściowych doszło do ukształtowania się dwóch niezależnych dróg rozwoju nowoczesnych spawalniczych źródeł zasilających. Jedna z nich wykorzystuje tranzystory wytwarzane technologią MOSFET (tranzystor polowy z izolowaną bramką), druga bazuje na elementach nazywanych IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką). Na czym polegają zasadnicze różnice pomiędzy obu grupami urządzeń i jaki jest ich wpływ na własności użytkowe sprzętu spawalniczego?
Producenci wytwarzający przede wszystkim tanie spawarki inwertorowe zaczęli stosować łatwo dostępne i niedrogie tranzystory wysokonapięciowe produkowane z zastosowaniem szeroko rozpowszechnionej technologii MOSFET. Pospolitość i niska cena tego rodzaju elementów stworzyła możliwość konstruowania i produkowania małych i lekkich urządzeń spawalniczych. Dzięki stosunkowo wysokiej częstotliwości pracy układu przełączającego, który formuje napięcie przemienne zasilające transformator spawarki, uzyskuje się bardzo poważną redukcję jego rozmiarów i masy w stosunku do konstrukcji konwencjonalnych. Największą i bardzo poważną wadą sprzętu bazującego na elementach półprzewodnikowych MOSFET jest konieczność równoległego łączenia niekiedy bardzo wielu tranzystorów mocy. Pojedyncze MOSFET’-y, choć zdolne sprostać wysokim napięciom, jakie występują w obwodach zasilających spawarek nie są wystarczające pod względem obciążalności prądowej. Konfiguracja równoległa stwarza realne ryzyko nierównomiernego rozpływu prądu pomiędzy poszczególnymi półprzewodnikami mocy i w wielu przypadkach staje się bezpośrednią przyczyną poważnych uszkodzeń sprzętu. Atrakcyjne wymiary i niska cena spawarek produkowanych z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET są okupione słabą niezawodnością i dużą wrażliwością na zmienne warunki pracy.

Konstruktorzy Kemppi należeli do stosunkowo nielicznej grupy tych, którzy realizując swoje nowatorskie pomysły nigdy nie sięgnęli po tranzystory typu MOSFET. Po trwającej blisko dwa lata wnikliwej analizie perspektyw rozwoju półprzewodników mocy ocenili, że przyszłość będzie należała do technologii IGBT. Oferowane przez nią parametry od samego początku umożliwiały stosowanie pojedynczych elementów dyskretnych bez potrzeby problematycznego łączenia wielu równoległych tranzystorów. Na pierwszy rzut oka większe, droższe i pracujące z mniejszymi częstotliwościami przełączania elementy IGBT wydawały się mniej atrakcyjnie od konkurencyjnej serii MOSFET. Znacznie większe koszty zakupu, wielokrotnie przekraczające cenę MOSFET’-ów oraz bardzo ograniczona liczba producentów tranzystorów IGBT stanowiły dodatkową barierę utrudniającą ich stosowanie.

KOMENTARZE (0)

Artykuł nie posiada jeszcze komentarzy! Twój może być pierwszy. Wypowiedz się!



SUBSKRYBUJ WNP.PL

NEWSLETTER

Najważniejsze informacje portalu wnp.pl prosto do Twojej skrzynki pocztowej

Wnp.pl: polub nas na Facebooku


Wnp.pl: dołącz do nas na Google+


44 506 ofert w bazie

POLECANE OFERTY

1 048 524 ofert w bazie

POLECANE OFERTY

5 763 ofert w bazie

2 782 331 ofert w bazie


397 664 ofert w bazie

GORĄCE KOMUNIKATY

Wyszukiwanie zaawansowane
  • parking
  • bankiet
  • catering
  • spa
  • klub
  • usługi
  • rekreacja
  • restauracja
467 ofert w bazie

POLECAMY W SERWISACH GRUPY PTWP